[发明专利]热处理装置以及热处理方法在审
申请号: | 202211003994.3 | 申请日: | 2022-08-19 |
公开(公告)号: | CN115831807A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 上野智宏;三宅浩志 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种详细地管理仿真晶片的劣化的热处理装置以及热处理方法。热处理装置(100)是对仿真晶片(R)进行管理的热处理装置(100)。热处理装置(100)具有:热处理部(160),对仿真晶片(R)进行热处理;损伤检测部(170),检测仿真晶片(R)的损伤;以及控制部(3),基于由损伤检测部(170)检测出的损伤信息来判定仿真晶片(R)可否使用。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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