[发明专利]沟槽刻蚀方法在审
| 申请号： | 202211005114.6 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115172155A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 曾丽;杨光;朱海云;王京 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽刻蚀方法，包括：第一刻蚀步骤，向工艺腔室通入第一刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以对衬底进行刻蚀，直至达到预设刻蚀深度；第二刻蚀步骤，向工艺腔室通入第二刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以继续对衬底进行刻蚀，直至达到目标刻蚀深度；其中，第二刻蚀步骤中，第二上电极功率信号和第二下电极功率信号均为射频脉冲信号，且第二上电极功率信号的周期中的信号输出时段和第二下电极功率信号的周期中的信号输出时段同步。本发明提供的沟槽刻蚀方法，不仅可以降低在刻蚀过程中产生的等离子体诱导损伤，而且还可以有效提高衬底刻蚀后的表面平滑度，避免形成“草”状物质。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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