[发明专利]一种半导体外延结构及其制备方法、光电器件在审
| 申请号： | 202211007475.4 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115274968A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 王羽;王丹;刘嘉恒;李红卫;叶颖;徐宁 | 申请（专利权）人： | 杭州海康威视数字技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 杨春香 |
| 地址： | 310051 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体外延结构及其制备方法、光电器件。所述半导体外延结构包括第一半导体层、有源层、抗静电层及第二半导体层。第一半导体层具有第一导电类型；有源层设于所述第一半导体层的一侧；抗静电层设于所述有源层背离所述第一半导体层的一侧，抗静电层包括AlN层及设于所述AlN层上的AlxInyGa1‑x‑yN(0≦x，y≦1)层；所述AlN层更靠近所述有源层设置；第二半导体层设于抗静电层背离所述有源层的一侧，所述第二导电层具有第二导电类型。上述半导体外延结构，抗静电层中的AlN层能够有效抑制有源层中电子溢流的同时，能够使抗静电层中形成二维空穴气，以促进结构内电荷的平衡分布，提升结构的静电耐受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 结构 及其 制备 方法 光电 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州海康威视数字技术股份有限公司，未经杭州海康威视数字技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211007475.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
