[发明专利]用于增强功率递送的玻璃贴片中的局部高磁导率磁性区域在审
| 申请号： | 202211011302.X | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN115939082A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | S·V·皮耶塔姆巴拉姆;T·A·易卜拉欣;A·柯林斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/64;H01L21/48;H01L25/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开的实施例包括电子封装和组装此类封装的方法。在实施例中，一种电子封装包括芯。在实施例中，芯包括玻璃。在实施例中，构建层在芯之上，插塞嵌入构建层中。在实施例中，插塞包括磁性材料。在实施例中，电感器裹绕插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 功率 递送 玻璃 中的 局部 磁导率 磁性 区域 | ||
【主权项】：
暂无信息
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