[发明专利]集成电路结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202211012465.X | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN115939093A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | A·S·乔杜里;D·巴苏;G·F·阿拉帕特;J·E·米勒;J·Y·银 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容涉及集成电路结构及其制造方法。一种集成电路结构包括具有第一导电特征部件的第一金属层。第二金属层具有第二导电特征部件。过孔层位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层中。在绝缘层中形成第一过孔和第二过孔。第一过孔具有的第一深宽比大于第二过孔的第二深宽比。无阻隔层金属部分地填充第一过孔并填充第二过孔。纯金属填充第一过孔的剩余部分。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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