[发明专利]一种抗单粒子效应的高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211012775.1 | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN115472688A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 赵胜雷;南继澳;张进成;张嘎;宋秀峰;刘爽;吴风;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/552;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 耿慧敏;成丹 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种抗单粒子效应的高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括：衬底以及依次堆叠在衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；位于势垒层上的源极和漏极，且源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触；位于势垒层上的氮化物层，且氮化物层位于源极和漏极之间；位于氮化物层两侧的增强钝化层，增强钝化层覆盖氮化物层的侧壁和至少部分顶壁；位于氮化物层上的栅极，栅极的底部与增强钝化层接触，且栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例能够解决现有的高电子迁移率晶体管在长时间的辐照环境下单粒子烧毁加速导致的器件发生提前击穿的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 效应 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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