[发明专利]一种单边框膜电极结构的封装方法在审
申请号: | 202211013186.5 | 申请日: | 2022-08-23 |
公开(公告)号: | CN115332560A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 朱凤鹃;王昭晖;陈伟;陶亮亮;王一鑫 | 申请(专利权)人: | 上海唐锋能源科技有限公司 |
主分类号: | H01M8/0273 | 分类号: | H01M8/0273;H01M8/0276;H01M8/0284;H01M8/0286;H01M8/1004 |
代理公司: | 浙江锦明智一知识产权代理有限公司 33503 | 代理人: | 李萌 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于膜电极技术领域,具体涉及一种单边框电极结构的封装方法,所述封装结构包括:CCM位于单边框上表面,且CCM上表面连接有阳极气体扩散层,单边框下表面连接有阴极气体扩散层,并提供了具体的封装方法。本发明解决了现有封装工艺的缺陷,利用单边框结构简略工艺,无需边框压合工序,大大降低了边框气泡和褶皱的产生。 | ||
搜索关键词: | 一种 边框 电极 结构 封装 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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