[发明专利]一种晶圆吸附载台气路在审
| 申请号： | 202211015086.6 | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN115241118A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 陶为银 | 申请（专利权）人： | 河南通用智能装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人： | 张春;郭明月 |
| 地址： | 450001 河南省郑州市高新技术产业*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆吸附载台气路，包括载台，所述载台上表面设置用于放置晶圆的晶圆放置区，载台上表面还设置吸附区，所述载台上设置负压吸附气路，所述负压吸附气路一端设置在吸附区，另一端通过管道连通负压源，所述负压吸附气路包括设置在吸附区上表面吸附槽，所述吸附槽连通设置在载台上的竖负压通道，所述竖负压通道通过管道连通负压源。本发明的晶圆被吸附后，晶圆不发光，晶圆周围的透明区透光，能够把晶圆的轮廓清晰的显明出来，能够更准确的辨识晶圆的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吸附 载台气路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
