[发明专利]单面纳米片晶体管

摘要

本公开涉及单面纳米片晶体管。单面纳米片晶体管结构包括在下沟道材料之上的上沟道材料。第一介电材料形成为与该上沟道材料和下沟道材料的第一侧壁相邻。第二介电材料形成为与该上沟道材料和下沟道材料的第二侧壁相邻。通过蚀刻第一介电材料的至少一部分来暴露上沟道材料和下沟道材料的第一侧壁。可以通过从上沟道材料和下沟道材料之间去除牺牲材料来暴露第二介电材料的侧壁部分。然后，单面栅极堆叠可以形成为与上沟道材料和下沟道材料的第一侧壁直接接触且与第二介电材料的侧壁部分接触。