[发明专利]用于直接芯片附连架构的共形功率输送结构在审
| 申请号： | 202211017757.2 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115863292A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | W·J·兰伯特;B·崔;K·巴拉斯;K·拉达克里希南;A·埃尔谢比尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/14;H01L23/13;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/52;H01L25/065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 丁辰;李啸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，基底管芯设备包括共形功率输送结构，所述共形功率输送结构包括限定一个或多个凹陷的第一电传导层以及至少部分在第一电传导层的凹陷内并且具有与第一电传导层的上表面大致共形的下表面的第二电传导层。所述共形功率输送结构还包括在第一电传导层和第二电传导层的彼此共形的表面之间的电介质材料。所述共形功率输送结构可以被连接到所述基底管芯设备的连接焊盘，例如以向被连接到所述基底管芯设备的集成电路（IC）芯片提供功率输送。所述基底管芯设备还包括用于将IC芯片彼此连接的桥电路模块。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 直接 芯片 架构 功率 输送 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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