[发明专利]用于2D晶体管的异质结构材料触点在审
| 申请号： | 202211017907.X | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115863415A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | K·马克西;A·V·佩努马季哈;C·内勒;C·多罗;K·奥布赖恩;S·希瓦拉曼;T·戈萨维;U·阿维奇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/78;H01L21/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 相对于包括2D材料沟道和2D材料沟道上的异质2D材料并且被耦合到源极和漏极金属的晶体管、及其制造，讨论了晶体管、设备、系统和方法。晶体管的2D材料沟道允许栅极长度缩放、改进的开关性能和其它优点，并且异质2D材料改善了晶体管设备的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体管 结构 材料 触点 | ||
【主权项】：
暂无信息
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