[发明专利]一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法在审
| 申请号： | 202211024320.1 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115312378A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;赵雪利;许淑宁;何佳琦;邢伟川;侯松岩;张苇杭;周瑾;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335;H01L29/45;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 段俊涛 |
| 地址： | 510555 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，该方法包括：在氮化镓HEMT晶圆上淀积不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明欧姆金属与氮化镓HEMT晶圆表面的三族氮化物材料反应，三族氮化物材料中的氮缺失，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；用酸洗的方法去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明欧姆接触材料，与具有大量氮空位、形成N型重掺杂的三族氮化物形成良好的欧姆接触。常规氮化镓HEMT制备方法中通过高温退火使金属电极与异质结形成欧姆接触，但是金属电极不透明；而采用透明材料作为电极时，通过高温退火无法与氮化镓HEMT结构形成良好的欧姆接触。本发明可解决该问题，且工艺简单、易于实现，性能良好，效果突出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 氮化 hemt 欧姆 接触 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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