[发明专利]测量晶圆表面损伤层深度的方法和系统在审
| 申请号： | 202211027796.0 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115116881A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N23/207;G01N23/20008;G01N1/32;G01B21/30 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 宋东阳;李斌栋 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及测量晶圆表面损伤层深度的方法和系统，该方法包括：步骤101：对待测晶圆反复进行多次将晶圆浸入腐蚀液中规定时间并从腐蚀液中拉起的提拉刻蚀操作，使得通过由腐蚀液刻蚀而在晶圆的表面上形成具有一系列台阶面的台阶形状；步骤102：对所述一系列台阶面依次进行损伤检测，直至未检测到损伤为止；步骤103：根据未检测到损伤时已进行的提拉刻蚀操作的次数和晶圆在每次浸入腐蚀液中时被刻蚀剥离的厚度确定晶圆的表面损伤层的深度，其中，该厚度根据腐蚀液的腐蚀速率和规定时间计算获得。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 表面 损伤 深度 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
