[发明专利]一种硅基雪崩光电二极管的抗辐照加固方法

摘要

本发明公开一种硅基雪崩光电二极管的抗辐照加固方法，属于半导体光电探测器领域。N型收集环及加固注入区为用于抗辐照的结构，N型收集环用于收集器件外围区域的电流，防止对有效的倍增信号产生干扰；通过在器件外围区域的场氧下方引入一道P型加固注入区，防止该弱P型区域在辐照条件下反型成N型形成漏电流通道，即阻止该区域反型造成N型结截止扩展环、N型收集环与电通道截止环之间的漏电。另外，也保证了雪崩击穿总是发生在器件中心位置的P型雪崩区中。该方法降低了硅基雪崩光电二极管辐照后的暗电流，提高了硅基雪崩光电二极管的抗辐照能力。