[发明专利]半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211030210.6 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115347038A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 叶彪;韩廷瑜;王东 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括：衬底，衬底内具有栅极沟槽；衬垫层，至少位于栅极沟槽的侧壁及底部；屏蔽栅极，位于衬垫层朝向栅极沟槽内的侧壁上，屏蔽栅极朝向栅极沟槽内的侧壁之间具有间隙且其上表面低于栅极沟槽的顶部；绝缘介质层，位于间隙内，填满间隙并覆盖屏蔽栅极的上表面；多晶硅栅极，位于栅极沟槽内，且位于绝缘介质层的上表面；源区，位于栅极沟槽相对的两侧且与屏蔽栅极电连接；源极，位于衬底的上表面，与源区相接触；漏极，位于衬底的下表面。采用上述半导体器件结构及其制备方法能够减小源极与漏极的电容和开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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