[发明专利]具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202211031543.0 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN115332071A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | E·扎内蒂;S·拉斯库纳;M·G·萨吉奥;A·瓜尔内拉;L·弗拉加帕内;C·特林加里 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 丁君军 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法。一种电子器件的制造方法包括：形成N型的漂移层；在漂移层中形成沟槽；通过注入P型的掺杂剂物种，在沟槽旁边形成边缘终止结构；以及通过挖掘漂移层，在沟槽与边缘终止结构之间形成凹陷区域。形成凹陷区域和沟槽的步骤同时执行。形成凹陷区域的步骤包括将漂移层图案化，以与边缘终止结构形成具有第一斜率的结构连接，并且形成沟槽的步骤包括蚀刻漂移层，以限定沟槽的侧壁，该侧壁具有比第一斜率更陡的第二斜率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高效 边缘 结构 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
