[发明专利]一种硅表面二次镀镍前处理方法在审
| 申请号： | 202211038017.7 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115261830A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 金会义;卜路霞;徐晓萍;张淑娟;尹立辉;石军;廉文静 | 申请（专利权）人： | 天津农学院 |
| 主分类号： | C23C18/18 | 分类号： | C23C18/18;C23C18/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300392*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在硅晶圆表面二次化学镀镍前处理的方法，包括：先将经过一次镀镍的硅晶圆浸入去离子水中，用超声波清洗仪清洗0.5～2h，然后浸入过氧化氢溶液氧化1～30s，取出后用去离子水浸洗三次就可用于二次化学镀镍。本发明使用绿色氧化剂处理一次镀镍硅表面，对表面保护效果良好，生产排污压力减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 二次 镀镍前 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
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