[发明专利]石墨烯/非极性GaN紫外偏振探测器及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202211039319.6 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115411132A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 王文樑;林廷钧 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/18;H01L31/0336;H01L31/0224;G01J4/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 戴晓琴 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯/非极性GaN紫外偏振探测器及其制备方法与应用，所述石墨烯/非极性GaN紫外偏振探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、非极性GaN层和Ti/Au金属电极层，以及覆盖在非极性GaN层上的隔离层、石墨烯层和Au金属电极层；其中，在非极性GaN层的一侧上覆盖Ti/Au金属电极层，在另一侧上覆盖隔离层；石墨烯层部分覆盖在隔离层上，部分覆盖在非极性GaN层上，且石墨烯层不与Ti/Au金属电极层接触；Au金属电极层覆盖在隔离层上的石墨烯层上；石墨烯与非极性GaN形成石墨烯/非极性GaN异质结。本发明提供的石墨烯/非极性GaN异质结构，实现了紫外光偏振探测，减少器件的暗电流与噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 极性 gan 紫外 偏振 探测器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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