[发明专利]一种镧掺杂铪酸铅电介质薄膜的制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202211040406.3 申请日: 2022-08-29
公开(公告)号: CN115465890B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 詹倩;尔晓阔 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C01G27/00 分类号: C01G27/00;H01G4/33
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种镧掺杂铪酸铅电介质薄膜的制备方法和应用,属于微电子技术领域。其化学通式为Pb1‑xLaxHfO3。制备过程包括:1)配制Pb1‑xLaxHfO3前驱体溶液并陈化;2)将溶胶旋涂在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上,得到湿膜;3)对湿膜进行热解和烧结处理;4)重复旋涂,热解和烧结处理,得到预设厚度的薄膜;5)将预设厚度的薄膜在空气氛围下进行退火,得到所述Pb1‑xLaxHfO3薄膜。本发明通过在PbHfO3基反铁电薄膜中进行A位掺杂,通过调整镧离子的掺杂量,从而获得显著增强的储能性能的电介质薄膜,应用于电容式储能装置中。
搜索关键词: 一种 掺杂 铪酸铅 电介质 薄膜 制备 方法 应用
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