[发明专利]一种基于两级MZI结构的模式不敏感的聚合物可变光衰减器在审
申请号: | 202211044876.7 | 申请日: | 2022-08-30 |
公开(公告)号: | CN115291321A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 王希斌;孙士杰;廉天航;张大明 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12;G02B6/122;G02B6/125;G02F1/01 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
地址: | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: |
一种用于模分复用系统的基于两级MZI结构的模式不敏感的聚合物可变光衰减器,属于聚合物集成光学技术领域。依次由硅衬底、聚合物下包层、聚合物波导芯层、聚合物上包层和加热电极组成,聚合物波导芯层和聚合物上包层制备在聚合物下包层之上,聚合物波导芯层包埋在聚合物上包层和聚合物下包层之中;聚合物波导芯层基于两级MZI结构光波导,在加热电极上施加调制电压后,加热电极下方区域的聚合物波导芯层有效折射率减小,其中传输的光信号的相位也随之改变,因此在输出端的耦合发生变化,由于一级输出弯曲波导只支持LP |
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搜索关键词: | 一种 基于 两级 mzi 结构 模式 敏感 聚合物 可变 衰减器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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