[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202211045210.3 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115117160B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 廖昱程;刘文杰;文浚硕 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张李静;吴素花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例涉及半导体技术领域，目前由于存储单元尺寸的不断缩小，栅极沟道的长度也随之缩减，导致栅极的控制能力越来越弱，因此，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：位于衬底上的栅极结构；栅极结构包括至少两层栅极导电层；至少两层栅极导电层具有相同的组分和不同的特征参数；特征参数包括厚度、组分含量或形状中的至少一种。不同厚度、不同组分含量或者不同形状使得栅极结构中的各个栅极导电层的功函数、阈值电压均变得可调，从而可以有效地减小半导体结构的栅极感应漏极漏电流，提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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