[发明专利]一种大面积硫化钯或/和二硫化钯纳米薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202211050004.1 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115874151A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 郝国林;高慧;郝玉龙;肖金彪;贺力员 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/18;C23C14/58;C01G55/00 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 冷玉萍 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积硫化钯或/和二硫化钯纳米薄膜的制备方法。采用电子束蒸发镀膜与化学气相沉积方法，通过改变预沉积的钯金属纳米薄膜厚度，可以实现硫化钯、二硫化钯或硫化钯与二硫化钯的混合相纳米薄膜的可控制备。包括：一、使用电子束蒸发镀膜仪，将不同厚度的钯金属纳米薄膜蒸镀至二氧化硅基底。二、将硫粉置于管式炉第一温区，生长基底置于第二温区，利用常压化学气相沉积方法进行大面积硫化钯、二硫化钯或硫化钯与二硫化钯的混合相纳米薄膜的可控生长。硫化钯与二硫化钯纳米薄膜因其独特的物理与化学性质在多种工业和技术领域有广泛应用前景，如可用于催化剂，耐酸高温电极，太阳能电池等。本发明能够实现硫化钯、二硫化钯或硫化钯与二硫化钯的混合相纳米薄膜的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 硫化 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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