[发明专利]金属栅极晶体管的测试结构在审
申请号: | 202211054326.3 | 申请日: | 2022-08-29 |
公开(公告)号: | CN115274622A | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 徐敏;朱月芹;陈雷刚 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 闫学文 |
地址: | 201314*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供金属栅极晶体管的测试结构,包括:半导体衬底;形成于衬底上的共用一个金属栅极的多个晶体管结构;焊盘组件,包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘和第六焊盘,所有源极与第一焊盘电连接,所有漏极与第二焊盘电连接,金属栅极的一端与第三焊盘和第四焊盘电连接,金属栅极的另一端与第五焊盘和第六焊盘电连接;其中,第一焊盘、第二焊盘与第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘、第六焊盘中的任意一个焊盘组成可靠性测试的测试端,第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘和第六焊盘组成电迁移测试的测试端。该测试结构可将现有技术中相互分离的可靠性测试结构和电迁移测试结构整合于一个测试结构中,节省了测试结构的面积。 | ||
搜索关键词: | 金属 栅极 晶体管 测试 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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