[发明专利]金属栅极晶体管的测试结构在审

专利信息
申请号: 202211054326.3 申请日: 2022-08-29
公开(公告)号: CN115274622A 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 徐敏;朱月芹;陈雷刚 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 闫学文
地址: 201314*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供金属栅极晶体管的测试结构,包括:半导体衬底;形成于衬底上的共用一个金属栅极的多个晶体管结构;焊盘组件,包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘和第六焊盘,所有源极与第一焊盘电连接,所有漏极与第二焊盘电连接,金属栅极的一端与第三焊盘和第四焊盘电连接,金属栅极的另一端与第五焊盘和第六焊盘电连接;其中,第一焊盘、第二焊盘与第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘、第六焊盘中的任意一个焊盘组成可靠性测试的测试端,第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘和第六焊盘组成电迁移测试的测试端。该测试结构可将现有技术中相互分离的可靠性测试结构和电迁移测试结构整合于一个测试结构中,节省了测试结构的面积。
搜索关键词: 金属 栅极 晶体管 测试 结构
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211054326.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top