[发明专利]一种功率IGBT器件及制备方法在审
| 申请号： | 202211062214.2 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115377195A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;黄龄萱;杨洋;赵一尚;王彤阳;刘小菡;夏梓铭;陈雨佳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种功率IGBT器件及制备方法，器件包括集电极、P型集电区、N型场阻止层、N型漂移区、氧化层、和发射极，在所述N型漂移区内部顶层中间区域设置有一个沟槽栅极结构；所述沟槽栅极结构内部设置有栅电极和氧化层；器件沟槽栅极结构一侧的第一浮空P型基区阻断了所述沟槽栅极结构和第二浮空P型基区的电场，削弱了所述沟槽栅极结构和第二浮空P型基区之间的耦合作用，提高了所述功率IGBT器件的栅控能力和阻断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 igbt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211062214.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
