[发明专利]一种银纳米线-聚酰亚胺柔性透明衬底电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202211062640.6 | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN115274216A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 龚洁;范骁;孙娅;陈珏;吴珊 | 申请（专利权）人： | 航天科工（长沙）新材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 长沙楚为知识产权代理事务所(普通合伙) 43217 | 代理人： | 陶祥琲 |
| 地址： | 410000 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种银纳米线‑聚酰亚胺柔性透明衬底电极及其制备方法，其中方法包括步骤：(1)在基底上涂布AgNWs稀释溶液，得到AgNWs导电层；(2)将可溶性CPI粉末溶解成溶液并涂布在AgNWs导电层上，待溶液扩散均匀后进行梯度升温，使CPI固化成膜；(3)脱膜处理，得到AgNWs嵌入CPI的复合薄膜；(4)将可溶解CPI的溶剂均匀涂布在复合薄膜的AgNWs导电面上，进行溶剂后退火处理，即得。本发明方法提供的溶剂后退火处理工艺可有效解决现有衬底转移方法对AgNWs嵌入程度不可控的问题，通过调控涂布溶剂的量、处理温度和处理时间来调控AgNWs嵌入CPI的程度，从而得到兼具高导电率、高透光率、低表面粗糙度以及高附着力的AgNWs/CPI柔性透明衬底电极。本发明方法操作简单、可重复性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 聚酰亚胺 柔性 透明 衬底 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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