[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211062831.2 | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN115276600A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 曲远航;孙成亮;孙博文;蔡耀;邹杨;高超;罗天成;王雅馨 | 申请（专利权）人： | 武汉敏声新技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及薄膜体声波器件技术领域，包括衬底，所述衬底上依次层叠有底电极、压电层和顶电极，所述衬底与所述底电极之间形成有空腔，所述底电极、所述压电层和所述顶电极分别在所述衬底上的投影相重合的区域形成有效区，在所述底电极和所述压电层之间形成有第一空气桥,在所述有效区外的所述压电层上形成有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述压电层背离所述底电极的一侧，所述第一凹槽和所述第一空气桥在投影方向对应设置。通过第一空气桥限制通过底电极的声波能量，同时通过在非有效区的压电层形成第一凹槽以减小压电层的横向声波泄露，充分的减少了声波能量的泄露，提高了谐振器的Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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