[发明专利]多阈值标准单元库设计方法及多阈值标准单元库在审

专利信息
申请号: 202211065059.X 申请日: 2022-09-01
公开(公告)号: CN115238637A 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 宋睿强;邵津津;刘必慰;胡春媚;吴振宇;池雅庆;梁斌;袁珩洲;陈建军 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392;G06F30/398
代理公司: 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 代理人: 彭小兰
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本申请涉及一种多阈值标准单元库设计方法及多阈值标准单元库。所述方法包括:获取标准单元库中的标准单元;标准单元包括功能晶体管和驱动晶体管;根据标准单元的电路结构,构建功能晶体管对应的功能晶体管版图和驱动晶体管对应的驱动晶体管版图;采用第一阈值图层覆盖功能晶体管版图中的功能晶体管,得到第一阈值功能晶体管版图,采用第二阈值图层覆盖驱动晶体管版图中的驱动晶体管,得到第二阈值驱动晶体管版图;拼接第一阈值功能晶体管版图和第二阈值驱动晶体管版图,得到多阈值标准单元,根据多阈值标准单元,得到多阈值标准单元库。采用本方法得到的多阈值标准单元库,能够在集成电路中更高效地进行功耗回收,降低集成电路的整体功耗。
搜索关键词: 阈值 标准 单元 设计 方法
【主权项】:
暂无信息
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