[发明专利]PyC-SiC-HfC三界面相改性C/C-SiBCN双基体抗烧蚀复合材料制备方法在审
申请号: | 202211067510.1 | 申请日: | 2022-09-01 |
公开(公告)号: | CN115417699A | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 彭雨晴;李志伟;李爱军;王启帆;海维斌;刘立起;张方舟;王绪超;张中伟 | 申请(专利权)人: | 上海大学;上海大学绍兴研究院;尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B41/89 | 分类号: | C04B41/89 |
代理公司: | 上海新隆知识产权代理事务所(普通合伙) 31366 | 代理人: | 刘兰英 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种PyC‑SiC‑HfC三界面相改性C/C‑SiBCN双基体抗烧蚀复合材料的制备方法,包括PyC‑SiC‑HfC界面相制备和C‑SiBCN基体制备,具体包括:(1)利用CVD工艺在碳纤维预制体的纤维表面制备PyC+SiC界面相得到带有一定厚度界面相的预制体;(2)将步骤(1)制得的预制体在HfC聚合物‑二甲苯溶液中多次浸渍,制得PyC‑SiC‑HfC三界面相改性碳纤维预制体材料;(3)通过CVI工艺制备C基体;(4)通过PIP工艺制备SiBCN改性基体;(5)固化裂解;(6)重复步骤(4)和(5),最终得到C/PyC‑SiC‑HfC/C‑SiBCN复合材料。本发明采用一种PyC‑SiC‑HfC的三界面相互补耐高温体系,利用PyC良好的片层结构、HfC良好的抗烧蚀性能和SiC良好的热膨胀系数匹配能力来作为C/C‑SiBCN复合材料的界面相,以此来提高整个复合材料的抗烧蚀性能。 | ||
搜索关键词: | pyc sic hfc 三界 面相 改性 sibcn 基体 抗烧蚀 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学;上海大学绍兴研究院;尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司,未经上海大学;上海大学绍兴研究院;尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211067510.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种小龙虾加工用筛选装置
- 下一篇:一种积水预测系统