[发明专利]一种基于二氧化钒超材料结构的C波段硅基调制器有效
| 申请号： | 202211068789.5 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115167014B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王琳;尹坤 | 申请（专利权）人： | 之江实验室 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/015 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 | 代理人： | 戴莉 |
| 地址： | 311121 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二氧化钒超材料结构的C波段硅基调制器，包括SOI基底，所述SOI基底上沿长度方向的对称轴上呈凸起结构，所述凸起结构为波导层，所述波导层为条形直波导，所述条形直波导分为输入区波导、复合区波导和输出区波导，所述复合区波导上方刻蚀的一排小孔内填充有超材料结构，所述波导层和所述超材料结构由二氧化硅包裹。本发明具有器件尺寸小、状态切换速度快和能耗低的特点。采用二氧化钒超材料结构，可实现小尺寸的调制器；相变材料在不同外界能量刺激下，其折射率会发生改变，且切换速度极快，飞秒量级的光脉冲即可实现状态间的快速切换；在无外界能量刺激下，状态会维持在原有状态，在切换要求不频繁的系统中，可大大降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 材料 结构 波段 基调 | ||
【主权项】：
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