[发明专利]一种可降低触控电容的阵列基板的制造方法在审
| 申请号： | 202211069965.7 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115472563A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;潜垚 | 申请（专利权）人： | 华映科技（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G06F3/041 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 宋连梅 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种可降低触控电容的阵列基板的制造方法，包括：依序在Glass上Pattern形成buffer层SiOx、有源层、刻蚀阻挡层ES、和金属层GE，包括栅极和触控层CM；沉积一层绝缘保护层PV；涂布一层有机平坦层OC，并Pattern出OC孔；采用ES光罩进行曝光/显影/蚀刻制程，Pattern出ES孔；在OC层上Pattern一层金属层SD，并通过ES孔与SE相连接，触控层CM处Pattern出金属垫层；沉积一层绝缘层VA，形成VA孔；沉积一层像素电极PE，通过CH孔与源漏极金属层搭接。本发明降低了触控电容，提高了主动笔信号的接收度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 电容 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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