[发明专利]半导体装置以及半导体存储装置在审
| 申请号： | 202211070863.7 | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN116845094A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 冈岛睦;齐藤信美;池田圭司;野田光太郎;秋田贵誉 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78;H10B12/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够抑制可靠性的降低的半导体装置以及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：氧化物半导体层，沿第一方向延伸；栅极电极，在与第一方向交叉的第二方向上与氧化物半导体层重叠；栅极绝缘膜，设置于栅极电极与氧化物半导体层之间；第一导电层，在第一方向上设置于氧化物半导体层之上，并且包含导电性氧化物；第二导电层，在第一方向上设置于第一导电层之上，并且包含金属元素；第一保护膜，与第二导电层的侧面相接；以及第二保护膜，与第一导电层的侧面或上表面的至少一部分相接。第一保护膜及第二保护膜分别包含与第二导电层相比、氧的扩散系数小的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 存储 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司，未经铠侠股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211070863.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：旋转传递结构及图像形成装置
- 下一篇：读出定时生成电路及半导体存储装置
- 同类专利
- 专利分类
