[发明专利]基于漫反射激光外差相干的原位密度测量装置及方法在审
| 申请号： | 202211075809.1 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115326637A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李丽艳;周燕;范松涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N9/24 | 分类号： | G01N9/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种基于漫反射激光外差相干的原位密度测量装置和方法，该装置包括：激光器，用于产生探测激光；外差相干模块，设于激光器之后，用于将探测激光分为测量光和参考光，使测量光穿过透射式漫反射介质密度测量模块探测待测介质，测量光的返回光与参考光发生干涉，产生干涉光信号，解调干涉光信号，输出待测介质的密度；透射式漫反射介质密度测量模块，设于外差相关模块之后，用于将测量光与待测介质耦合，并通过漫反射物体使测量光的返回光原路返回至外差相干模块。该装置和方法通过结合外差与漫反射物体作为探测光反射的方法，解决了现有干涉测量介质密度存在的问题，实现了大动态范围、高精度下的介质密度原位测量。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 漫反射 激光 外差 相干 原位 密度 测量 装置 方法 | ||
【主权项】：
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