[发明专利]一种高效稳定的二端钙钛矿/硅叠层太阳电池及制备方法在审
| 申请号： | 202211076018.0 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115643766A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 余学功;阚晨霞;杭鹏杰;姚宇新;李彪;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H10K39/15 | 分类号： | H10K39/15;H10K71/12;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效稳定的二端钙钛矿/硅叠层太阳电池及制备方法。本发明太阳电池的结构从下至上分别为：正面制绒的硅底电池、载流子复合层、空穴传输材料和钙钛矿的共沉积层、电子传输层等，空穴传输材料和钙钛矿的共沉积层通过将空穴传输材料溶解于钙钛矿前驱体溶液中，在任意分布微米级尺寸金字塔的绒面硅底电池上一步旋涂制得，空穴传输材料为亚铜盐，与钙钛矿的摩尔比为1:10～25。本发明不仅简化了工艺步骤，同时不需要对硅底电池的正面进行抛光操作，大幅度降低叠层电池制备成本的同时提高了器件的重复性，为大面积叠层的制备拓宽了道路。添加的空穴传输材料在成膜后自组装地分布在钙钛矿晶粒之间，使获得的叠层电池高效且稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 稳定 二端钙钛矿 硅叠层 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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