[发明专利]预测半导体载流子迁移率的方法在审
| 申请号： | 202211080234.2 | 申请日： | 2022-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN115292961A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 熊稳;魏兴战;史浩飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/02 |
| 代理公司： | 北京元本知识产权代理事务所(普通合伙) 11308 | 代理人： | 黎昌莉 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明为一种预测半导体载流子迁移率的方法，通过对目标晶体建模并计算载流子迁移率，建模对目标晶体进行结构扭曲并计算修正值，利用该修正值对载流子迁移率计算结果进行修正。本发明通过对晶体结构进行扭曲，计算修正值，并基于修正值得到目标晶体载流子迁移率，解决了计算预测载流子的迁移率，比实验上测得的载流子迁移率偏高的问题，达到了计算预测的结果更加精确、贴近实际情况的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 预测 半导体 载流子 迁移率 方法 | ||
【主权项】：
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