[发明专利]一种硅衬底上生长半极性(11-22)面氮化镓的方法有效
| 申请号： | 202211083705.5 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115377265B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 赵桂娟;茆邦耀;邢树安;刘贵鹏 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/18;H01L33/32;H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅图形化衬底上外延生长高质量半极性(11‑22)面氮化镓的方法。本发明通过改进的高温‑低温氮化镓层生长法，先在图形化硅衬底的(1‑11)面上生长一层氮化铝，然后高温生长一层氮化镓填上图形沟槽，最后再低温生长氮化镓，最终得到具有光滑表面的半极性(11‑22)面氮化镓外延层。该方法制得的样品能够有效改善极性面氮化镓具有的量子限制斯塔克效应，减小了量子限制斯塔克效应在光电半导体器件对发光性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 生长 极性 11 22 氮化 方法 | ||
【主权项】：
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