[发明专利]一种碳化硼/铅复合防辐射材料、其制备方法及应用在审
| 申请号： | 202211088620.6 | 申请日： | 2022-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN115521150A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 王成;杨建荣;何岚;王子超 | 申请（专利权）人： | 杭州陶飞仑新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/563 | 分类号： | C04B35/563;C04B35/622;C04B35/64;C04B41/88;G21F1/06;G21F1/12;C04B38/06;C22C1/10;C22C1/02;C22C32/00;C22C11/00;C22C29/06;B22D27/13 |
| 代理公司： | 杭州华知专利事务所(普通合伙) 33235 | 代理人： | 张德宝 |
| 地址： | 311106 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硼/铅复合防辐射材料、其制备方法及应用，该材料包括碳化硼和铅，所述碳化硼占材料总体积分数45％‑80％。其制备方法，其包括以下步骤S1：用碳化硼颗粒、磷酸二氢铝粉体与液态石蜡制备多孔陶瓷预制体；S2：采用真空气体压力浸渗方法将铅浸渗到所述多孔陶瓷预制体内，得到铅碳化硼铸件；S3：将所述铅碳化硼铸件进行热处理，即可。本发明提供一种重量轻、力学和机加性能优异，并且能根据γ射线和中子辐射强度自定义设计铅和碳化硼含量，无需引入其他屏蔽防护材料，屏蔽效率至少提升40％；对其表面进行金属化镀覆处理，使其具有可焊性和三防性能，突破性的使其可应用于具有γ射线和中子辐射环境下的电子元器件封装领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化 复合 防辐射 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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