[发明专利]硫族化物材料和包括硫族化物的半导体存储器件在审
| 申请号： | 202211088815.0 | 申请日： | 2022-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN115996629A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 林俊英;金亨根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及硫族化物材料及包括所述硫族化物材料的半导体存储器件。所述硫族化物材料包括具有第一原子百分比的锗(Ge)、具有至少是锗的第一原子百分比两倍的第二原子百分比的硒(Se)和具有小于锗的第一原子百分比的第三原子百分比的铟(In)。 | ||
| 搜索关键词： | 硫族化物 材料 包括 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211088815.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
