[发明专利]OTP存储器及其操作方法、工艺方法在审
| 申请号： | 202211097667.9 | 申请日： | 2022-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN115605023A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 陈耿川 | 申请（专利权）人： | 芯合半导体公司 |
| 主分类号： | H10B20/25 | 分类号： | H10B20/25;G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 顾丹丽 |
| 地址： | 中国香港西营盘正*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种OTP存储器及其操作方法、工艺方法。所述OTP存储器中，OTP存储单元的源端Ldd区和源区之间形成PN结，该PN结在对所述OTP存储单元编程时被击穿，能够实现一次性编程功能，而且电路布局简洁，有助于缩小芯片面积，降低成本。所述工艺方法在半导体基底表面区域同步形成所述OTP存储器的OTP存储单元以及MOS晶体管，降低了OTP存储器的制作难度，成本低，便于量产。 | ||
| 搜索关键词： | otp 存储器 及其 操作方法 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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