[发明专利]一种半导体集成器件在审
| 申请号： | 202211102837.8 | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN116469909A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 祁金伟;刘倩;张耀辉 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L27/07;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739 | 代理人： | 赵红凯 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种半导体集成器件，包括：集电极金属；位于同一层的第一掺杂类型的集电极和第二掺杂类型的短路区，集电极和短路区位于集电极金属之上；形成在集电极和短路区之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，形成在漂移区内的柱区；形成在漂移区上方的第一掺杂类型的阱区；电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；半导体集成器件关断，所述电场过渡层被完全耗尽，电场在所述电场过渡层降低且在所述电场终止层减小至0。本申请实施例解决了传统的SJ‑半导体集成器件在关断过程关断能量损耗较大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 集成 器件 | ||
【主权项】：
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