[发明专利]一种晶体生长方法和装置在审
| 申请号： | 202211103822.3 | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN115747951A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 王宇;官伟明 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C30B29/40;C30B29/48;C30B29/50 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 李宪 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本说明书实施例提供一种晶体生长方法和装置，该方法包括将籽晶和原料置于生长腔体中，其中，所述籽晶和所述原料之间设置隔板分隔，所述隔板包括至少一个出料口；基于所述籽晶和所述原料，通过物理气相传输法生长晶体，其中，在晶体生长过程中，加热所述隔板附近，使所述隔板附近的温度高于所述原料处的温度或所述籽晶处的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
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