[发明专利]基于量子点的单光子源及其制备方法有效
| 申请号： | 202211112724.6 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115207259B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 刘桂芝;吴国平;蒋小强;崔凤敏 | 申请（专利权）人： | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/54 | 分类号： | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于量子点的单光子源及其制备方法，基于量子点的单光子源由下至上依次包括：基板、正电极、空穴注入层、内含硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点的三氧化二铝层、电子注入层及负电极；内含硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点的三氧化二铝层由三氧化二铝膜及分散于三氧化二铝膜中的硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点组成；硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点由硒化银核、包覆在硒化银核表面的硫化银壳及包覆在硫化银壳表面的硫硒化银合金壳组成。本发明可获得超高纯度、可警示驱动过强、高效率、工作在通信波长内、背景噪声小以及环境友好的电驱动单光子源。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 量子 光子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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