[发明专利]一种阶梯状渐变外延深沟槽超结及其制备方法在审
| 申请号： | 202211113643.8 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115377220A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 白宗纬;张胜凯;王金雄;刘从宁 | 申请（专利权）人： | 江苏美微科半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225000 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种阶梯状渐变外延深沟槽超结及其制备方法。涉及一种半导体集成电路制造方法。包括以下步骤：提供均匀掺杂的外延层，采用光刻刻蚀工艺在所述外延层中形成阶梯状沟槽；阶梯状沟槽的制备包括如下分步骤：采用光刻刻蚀工艺在外延层中蚀刻第一沟槽；在所述第一沟槽内蚀刻第二沟槽，所述第二沟槽的宽度不大于第一沟槽的宽度；采用多晶硅填充阶梯状沟槽，包括如下分步骤：在所述第二沟槽内填充第二掺杂浓度的第二多晶硅层；本发明使用浓度渐增P型柱来实现最佳电荷平衡,以达到崩溃电压最佳化;同时阶梯状沟槽可以最大化N型柱电流路径宽度,实现优化特征电阻20%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阶梯 渐变 外延 深沟 槽超结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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