[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202211115639.5 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115810536A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 朴焕悦;朴世浚;赵俊衡;景世振;公大为;金泰珉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;肖学蕊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该方法包括：制备包括单元区和划道区的衬底；在衬底的单元区中形成电路块，衬底包括第一表面和第二表面；在衬底的第一表面上形成偏压焊盘，使得偏压焊盘在衬底的划道区中；将氘交换结构键合至衬底的第二表面；利用等离子体处理将氘植入到氘交换结构中；以及将第一电压施加至偏压焊盘，使得氘通过衬底的第二表面从氘交换结构扩散至衬底中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
