[发明专利]一种高精度套刻补偿方法在审
| 申请号： | 202211116711.6 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115407618A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张利斌;韦亚一 | 申请（专利权）人： | 南京诚芯集成电路技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G06F30/20 |
| 代理公司： | 南京苏博知识产权代理事务所(普通合伙) 32411 | 代理人： | 章雅琴 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光刻技术领域，具体涉及一种高精度套刻补偿方法，包括，使用泽尼克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算，得到逐场补偿模型参数；基于逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数；对实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比，得到对比结果。对对比结果进行判断，若对比结果在预设范围内，则应用至生产工艺中进行补偿，若对比结果不在预设范围内，则探索和诊断问题，通过使用泽尼克多项式模型，以及参考晶圆的逐场补偿模型，实现对任意批次、任意机台的晶圆套刻误差的快速补偿，从而解决了现有的补偿方法效率较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 补偿 方法 | ||
【主权项】：
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