[发明专利]硒化镍钽/硒化钨异质结光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硒化镍钽/硒化钨异质结光电探测器及其制备方法。所述的异质结光电探测器自下而上依次为衬底、Ta2NiSe5薄片、WSe2薄片和金属源、漏电极，通过先在衬底上制备Ta2NiSe5薄片，在此基础上转移WSe2薄片至Ta2NiSe5表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再制备金属源漏电极，形成范德华异质结光电探测器。本发明通过构建异质结，使得其在光照条件下产生的电子与空穴在异质结处迅速分离，能够有效降低暗电流，显著提高所制备的光电探测器的响应度和探测率。