[发明专利]原位生长钴碳纳米管过滤膜的制备方法及用途在审
| 申请号： | 202211121493.5 | 申请日： | 2022-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN115888405A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 叶立群;李超;李佳乐;黄妞 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | B01D67/00 | 分类号： | B01D67/00;B01D69/02;B01D69/04;B01D71/02;A01N59/02;A01N25/00;A01P1/00;B01J27/24;B01J23/75;C02F1/44;C02F1/50;C02F101/34;C02F101/38;C02F101/1 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种原位生长钴碳纳米管过滤膜的制备方法。首先，将碳布表面亲水化处理并在其表面包裹一层聚多巴胺（PDA/CC）；其次，在常温下将PDA/CC表面吸附钴离子；以氩气为载气在双氰胺分解气氛中进行化学气相反应，生长钴金属纳米颗粒并催化氮掺杂纳米管原位生长在碳布基底上（Co‑NC），最后将其酸化处理以除去表面的钴金属颗粒。以该过滤膜作为催化剂，流动相中可快速降解污染物、灭活大肠杆菌。此外，由于钴被碳管包裹、碳管原位生长在基底上，该催化剂中的钴几乎没有泄露（毒性低），催化剂在循环使用40次后其材料结构和催化性能都几乎没有改变。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 生长 纳米 滤膜 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
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