[发明专利]非易失性存储器及其擦除方法、计算机系统在审

专利信息
申请号: 202211123715.7 申请日: 2022-09-15
公开(公告)号: CN115440284A 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 陈慧 申请(专利权)人: 东芯半导体股份有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 钱慰民;张鑫
地址: 201799 上海市青浦区徐泾*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本公开提供了非易失性存储器及其擦除方法、计算机系统。其中非易失性存储器包括需要擦除的第一区域和不需要擦除的第二区域,并且第一区域和第二区域共用衬底。所述擦除方法包括:对第一区域执行擦除操作;响应于对第一区域执行的擦除操作的累计次数达到预定次数N,对存储器的第二区域执行防擦除校验,其中N≥2,防擦除校验的结果指示第二区域是否被擦除操作干扰;以及响应于确定第二区域被擦除操作干扰,对第二区域执行修复操作。本公开提供的擦除方法可以降低擦除操作对不需要擦除区域的影响。
搜索关键词: 非易失性存储器 及其 擦除 方法 计算机系统
【主权项】:
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