[发明专利]用于深紫外LED的外延结构及其制备方法、LED有效
| 申请号： | 202211125831.2 | 申请日： | 2022-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN115207176B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 程龙;郑文杰;曾家明;刘春杨;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 王建宇 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于深紫外LED的外延结构及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。其中，用于深紫外LED的外延结构包括衬底和依次沉积于衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N‑AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、非掺P‑Al |
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| 搜索关键词： | 用于 深紫 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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