[发明专利]一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202211130171.7 | 申请日: | 2022-09-15 |
公开(公告)号: | CN115312618A | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 潘江涌;黄昱凌;汪丽茜;毛磊 | 申请(专利权)人: | 南京信息工程大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 孙永生 |
地址: | 224002 江苏省盐城*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法,探测器包括基底、P型传输层和阴极,所述基底与所述P型传输层之间设有阳极,所述P型传输层与所述阴极之间设有铜基卤化物;制备方法包括:对基底进行清洗和干燥;对干燥后的基底进行紫外臭氧处理;利用热蒸镀法制备阳极;在阳极上旋涂P型传输层;在P型传输层上旋涂铜基卤化物前驱体溶液和反溶剂,进行退火,制得铜基卤化物薄膜;利用热蒸镀法制备阴极,制得基于PN异质结的日盲紫外光电探测器。本发明制备的探测器能够降低器件的暗电流,提高响应速度和响应度,且具有环保的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 pn 异质结 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的