[发明专利]磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211138015.5 | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN115483280A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 许望颖;彭涛;卓双木;林秋宝;黄伟城 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 361021 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法，通过磷(P)掺杂利用水溶液法合成了具有优异介电性能的Ga |
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| 搜索关键词： | 掺杂 氧化 镓介电层 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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